AM4992N
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM4992N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 1.8
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 4
nC
trⓘ -
Время нарастания: 4
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 44
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43
Ohm
Тип корпуса:
SO-8
Аналог (замена) для AM4992N
AM4992N
Datasheet (PDF)
..1. Size:320K analog power
am4992n.pdf Analog Power AM4992NN-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)430 @ VGS = 10V1.8 Low thermal impedance 100480 @ VGS = 4.5V1.7 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI
9.1. Size:194K analog power
am4998n.pdf Analog Power AM4998NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m()ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 32 @ VGS = 4.5V 6.5dissipation. Typical applications are DC-DC 30converters and power management in portable and 40 @ VGS = 2.5V 5.8batte
9.2. Size:318K analog power
am4990ne.pdf Analog Power AM4990NEDual N-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)81 @ VGS = 10V4.2 Low thermal impedance 10092 @ VGS = 4.5V4.0 Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost
9.3. Size:160K analog power
am4990n.pdf Analog Power AM4990NDual N-Channel 100-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m() ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 81 @ VGS = 10V 4.2converters and power management in portable and 100battery-powered pro
Другие MOSFET... IRFP344
, IRFP350
, IRFP350A
, IRFP350FI
, IRFP350LC
, IRFP351
, IRFP352
, IRFP353
, 2SK3568
, IRFP360
, IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
.