AM7304N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM7304N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для AM7304N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM7304N даташит

 ..1. Size:286K  analog power
 am7304n.pdf pdf_icon

AM7304N

Analog Power AM7304N N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 10 @ VGS = 10V 16 Low thermal impedance 30 13 @ VGS = 4.5V 14 Fast switching speed Typical Applications DFN3x3-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE

 9.1. Size:74K  analog power
 am7306na.pdf pdf_icon

AM7304N

Analog Power AM7306NA N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 5 @ VGS = 4.5V 22 converters and power management in portable and 30 6.9 @ VGS = 2.5V 19 battery

 9.2. Size:288K  analog power
 am7300n.pdf pdf_icon

AM7304N

Analog Power AM7300N N-Channel 300-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 600 @ VGS = 10V 2.4 Low thermal impedance 300 900 @ VGS = 5.5V 1.9 Fast switching speed Typical Applications DFN3x3-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits A

 9.3. Size:74K  analog power
 am7308na.pdf pdf_icon

AM7304N

Analog Power AM7308NA N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 9 @ VGS = 10V 17 converters and power management in portable and 30 15 @ VGS = 4.5V 13 battery-p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AM7102NA, AM7104N, AM7150N, AM7151P, AM7153P, AM7200N, AM7300N, AM7302N, TK10A60D, AM7306NA, AM7308NA, AM7310N, AM7320N, AM7321P, AM7323P, AM7330N, AM7331P