Справочник MOSFET. AM7333P

 

AM7333P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM7333P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM7333P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  analog power
am7333p.pdfpdf_icon

AM7333P

Analog Power AM7333PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)20 @ VGS = -10V -10.9 Low thermal impedance -3036 @ VGS = -4.5V -8.1 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM

 0.1. Size:301K  analog power
am7333pe.pdfpdf_icon

AM7333P

Analog Power AM7333PEP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)20 @ VGS = -10V -10.9 Low thermal impedance -3036 @ VGS = -4.5V -8.1 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI

 9.1. Size:114K  analog power
am7331p.pdfpdf_icon

AM7333P

Analog Power AM7331PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m) ID (A)(rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 13 @ VG = -10V -13.4Sconverters and power management in portable and -3019 @ VG = -4.5V -11.

 9.2. Size:300K  analog power
am7331pe.pdfpdf_icon

AM7333P

Analog Power AM7331PEP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)14.4 @ VGS = -10V -13.4 Low thermal impedance -3027 @ VGS = -4.5V -11.1 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE M

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SDF4N100JAA | JCS8N60B | SM3407PSQA | VSP002N03MS-G | IRFZ46ZL | NTP5411NG | AP2N030EY

 

 
Back to Top

 


 
.