IRFHM8228. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFHM8228

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: PQFN3.3X3.3

Аналог (замена) для IRFHM8228

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFHM8228 даташит

 ..1. Size:666K  international rectifier
irfhm8228.pdfpdf_icon

IRFHM8228

 7.1. Size:747K  international rectifier
irfhm8235.pdfpdf_icon

IRFHM8228

IRFHM8235PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V VGS max 20 V RDS(on) max 7.7 G (@ VGS = 10V) m S S S (@ VGS = 4.5V) 13.4 D Qg (typical) 7.7 nC D D D ID D 25 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 3.3X3.3 mm Applications Control MOSFET for synchronous buck converter Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (

 8.1. Size:593K  1
irfhm8329trpbf.pdfpdf_icon

IRFHM8228

IRFHM8329PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS max 20 V RDS(on) max 6.1 G (@ VGS = 10V) m S S S (@ VGS = 4.5V) 8.8 D Qg (typical) 13 nC D D D ID D 24 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 3.3X3.3 mm Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application System/Load Switch Synchronous MOSFET for

 8.2. Size:532K  1
irfhm830trpbf.pdfpdf_icon

IRFHM8228

IRFHM830PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V RDS(on) max 3.8 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 15 nC Rg (typical) 2.5 ID 40 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features Benefits Low RDSon (

Другие IGBT... IRFH8334PBF-1, IRFH8337PBF, IRFHE4250D, IRFHM3911, IRFHM4226, IRFHM4231, IRFHM4234, IRFHM7194, IRFP064N, IRFHM8235, IRFHM830DPBF, IRFHM830PBF, IRFHM831PBF, IRFHM8326, IRFHM8329, IRFHM8330, IRFHM8334