Справочник MOSFET. IRFHM8337

 

IRFHM8337 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFHM8337
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0124 Ohm
   Тип корпуса: PQFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для IRFHM8337

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFHM8337 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:651K  international rectifier
irfhm8337.pdfpdf_icon

IRFHM8337

IRFHM8337TRPbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V RDS(on) max 12.4(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 17.9 Qg (typical) 5.4 nC ID PQFN 3.3 x 3.3 mm 18 A(@TC = 25C) Applications System/load switch, Charge or discharge switch for battery protection Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (

 6.1. Size:246K  international rectifier
irfhm8334.pdfpdf_icon

IRFHM8337

IRFHM8334TRPbFVDS 30 V HEXFET Power MOSFETVGS max V 20RDS(on) max 9.0(@VGS = 10V) m(@VGS = 4.5V) 13.5Qg typ. 7.1 nCID PQFN 3.3 X 3.3 mm25 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Control MOSFET for high frequency buck convertersFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (

 6.2. Size:669K  international rectifier
irfhm8330.pdfpdf_icon

IRFHM8337

IRFHM8330PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS max 20 V RDS(on) max 6.6G (@ VGS = 10V) m S S S (@ VGS = 4.5V) 9.9 D Qg (typical) 9.3 nC D D D ID D 25 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 3.3X3.3 mm Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application System/Load Switch Control MOSFET for sy

 7.1. Size:593K  1
irfhm8329trpbf.pdfpdf_icon

IRFHM8337

IRFHM8329PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS max 20 V RDS(on) max 6.1G (@ VGS = 10V) m S S S (@ VGS = 4.5V) 8.8 D Qg (typical) 13 nC D D D ID D 24 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 3.3X3.3 mm Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application System/Load Switch Synchronous MOSFET for

Другие MOSFET... IRFHM8235 , IRFHM830DPBF , IRFHM830PBF , IRFHM831PBF , IRFHM8326 , IRFHM8329 , IRFHM8330 , IRFHM8334 , IRF540N , IRFHM8342 , IRFHM8363PBF , IRFHM9331PBF , IRFHM9391 , IRFHS8242PBF , IRFHS8342PBF , IRFHS9301PBF , IRFHS9351PBF .

History: VBE1102N

 

 
Back to Top

 


 
.