Справочник MOSFET. IXFH15N100

 

IXFH15N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH15N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 220 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFH15N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH15N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  ixys
 ixfh14n100 ixft14n100 ixfx14n100 ixfh15n100 ixft15n100 ixfx15n100.pdf pdf_icon

IXFH15N100

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT/IXFX14 N100 1000 V 14 A 0.75 WPower MOSFETsIXFH/IXFT/IXFX15 N100 1000 V 15 A 0.70 Wtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyPreliminary data sheetTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 1000 V(TAB)VGS Continuous

 7.1. Size:426K  1
 ixfh11n80 ixfm11n80 ixfh13n80 ixfm13n80 ixfh14n80 ixfm14n80 ixfh15n80 ixfm15n80.pdf pdf_icon

IXFH15N100

 7.2. Size:82K  ixys
 ixfh15n60 ixfh20n60 ixfm15n60 ixfm20n60.pdf pdf_icon

IXFH15N100

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 15 N60 600 V 15 A 0.50 WPower MOSFETsIXFH/IXFM 20 N60 600 V 20 A 0.35 Wtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 2

 7.3. Size:111K  ixys
 ixfh15n80q ixft15n80q.pdf pdf_icon

IXFH15N100

IXFH 15N80Q VDSS = 800 VHiPerFETTMIXFT 15N80Q ID25 = 15 APower MOSFETsRDS(on) = 0.60 WQ-Classtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)ID25 TC = 25C15 AIDM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.