IXFH15N60 - описание и поиск аналогов

 

IXFH15N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFH15N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFH15N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH15N60 даташит

 ..1. Size:82K  ixys
ixfh15n60 ixfh20n60 ixfm15n60 ixfm20n60.pdfpdf_icon

IXFH15N60

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 15 N60 600 V 15 A 0.50 W Power MOSFETs IXFH/IXFM 20 N60 600 V 20 A 0.35 W trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 2

 7.2. Size:111K  ixys
ixfh15n80q ixft15n80q.pdfpdf_icon

IXFH15N60

IXFH 15N80Q VDSS = 800 V HiPerFETTM IXFT 15N80Q ID25 = 15 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.60 W Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 800 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) ID25 TC = 25 C15 A IDM

 7.3. Size:116K  ixys
ixfh14n100 ixft14n100 ixfx14n100 ixfh15n100 ixft15n100 ixfx15n100.pdfpdf_icon

IXFH15N60

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT/IXFX14 N100 1000 V 14 A 0.75 W Power MOSFETs IXFH/IXFT/IXFX15 N100 1000 V 15 A 0.70 W trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Preliminary data sheet TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 1000 V (TAB) VGS Continuous

Другие MOSFET... IXFH12N90 , IXFH12N90Q , IXFH13N50 , IXFH13N80 , IXFH13N80Q , IXFH14N100 , IXFH14N80 , IXFH15N100 , 2N60 , IXFH15N80 , IXFH16N90 , IXFH20N60 , IXFH20N60Q , IXFH20N80Q , IXFH21N50 , IXFH22N55 , IXFH24N50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.