Справочник MOSFET. AM7416NA

 

AM7416NA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM7416NA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM7416NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  analog power
am7416na.pdfpdf_icon

AM7416NA

Analog Power AM7416NAN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)25 @ VGS = 10V12 Low thermal impedance 10028 @ VGS = 4.5V11 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

 9.1. Size:318K  analog power
am7414na.pdfpdf_icon

AM7416NA

Analog Power AM7414NAN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)12 @ VGS = 10V17 Low thermal impedance 10014 @ VGS = 4.5V16 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

 9.2. Size:323K  analog power
am7410n.pdfpdf_icon

AM7416NA

Analog Power AM7410NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)15 @ VGS = 10V15 Low thermal impedance 10019 @ VGS = 5.5V14 Fast switching speed DFN5X6-8L Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLU

 9.3. Size:94K  analog power
am7412n.pdfpdf_icon

AM7416NA

Analog Power AM7412NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m() ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 56 @ VGS = 10V 7.8converters and power management in portable and 100battery-powered products s

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: PB210BV | QM0004U | DMTH6005LCT | BUK9M6R6-30E | PHT11N06LT | HM6803 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.