Справочник MOSFET. AM7482N

 

AM7482N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM7482N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 451 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для AM7482N

 

 

AM7482N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  analog power
 am7482n.pdf

AM7482N AM7482N

Analog Power AM7482NN-Channel 80-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)11 @ VGS = 10V18 Low thermal impedance 8013 @ VGS = 4.5V17 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE

 9.1. Size:327K  analog power
 am7483p.pdf

AM7482N AM7482N

Analog Power AM7483PP-Channel 80-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)40 @ VGS = -10V -9.2 Low thermal impedance -8046 @ VGS = -4.5V -8.6 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABS

 9.2. Size:326K  analog power
 am7480n.pdf

AM7482N AM7482N

Analog Power AM7480NN-Channel 80-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)30 @ VGS = 10V12 Low thermal impedance 8040 @ VGS = 4.5V11 Fast switching speed Typical Applications: DFN5x6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE M

 9.3. Size:186K  analog power
 am7481p.pdf

AM7482N AM7482N

Analog Power AM7481PP-Channel 80-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m()ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 75 @ VGS = -10V -6.7converters and power management in portable and -8090 @ VGS = -4.5V -6.1bat

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top