AM7490N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM7490N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AM7490N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM7490N даташит

 ..1. Size:324K  analog power
 am7490n.pdf pdf_icon

AM7490N

Analog Power AM7490N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 48 @ VGS = 10V 8.3 Low thermal impedance 150 54 @ VGS = 5.5V 7.9 Fast switching speed Typical Applications DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLU

 9.1. Size:324K  analog power
 am7492n.pdf pdf_icon

AM7490N

Analog Power AM7492N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 88 @ VGS = 10V 6.2 Low thermal impedance 150 96 @ VGS = 5.5V 5.9 Fast switching speed Typical Applications DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

 9.2. Size:330K  analog power
 am7498n.pdf pdf_icon

AM7490N

Analog Power AM7498N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 360 @ VGS = 10V 3.1 Low thermal impedance 150 370 @ VGS = 4.5V 3.0 Fast switching speed Typical Applications DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits A

 9.3. Size:102K  analog power
 am7496n.pdf pdf_icon

AM7490N

Analog Power AM7496N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 220 @ VGS = 10V 3.9 150 battery-powered products su

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AM7464N, AM7466N, AM7468N, AM7470NA, AM7480N, AM7481P, AM7482N, AM7483P, 75N75, AM7492N, AM7496N, AM7498N, AM7500C, AM7510C, AM7530C, AM7540C, AM7630N