Справочник MOSFET. AM7490N

 

AM7490N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM7490N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для AM7490N

 

 

AM7490N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  analog power
 am7490n.pdf

AM7490N AM7490N

Analog Power AM7490NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)48 @ VGS = 10V8.3 Low thermal impedance 15054 @ VGS = 5.5V7.9 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLU

 9.1. Size:324K  analog power
 am7492n.pdf

AM7490N AM7490N

Analog Power AM7492NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)88 @ VGS = 10V6.2 Low thermal impedance 15096 @ VGS = 5.5V5.9 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

 9.2. Size:330K  analog power
 am7498n.pdf

AM7490N AM7490N

Analog Power AM7498NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)360 @ VGS = 10V3.1 Low thermal impedance 150370 @ VGS = 4.5V3.0 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits A

 9.3. Size:102K  analog power
 am7496n.pdf

AM7490N AM7490N

Analog Power AM7496NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m() ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 220 @ VGS = 10V 3.9150battery-powered products su

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top