Справочник MOSFET. AM7492N

 

AM7492N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM7492N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM7492N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  analog power
am7492n.pdfpdf_icon

AM7492N

Analog Power AM7492NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)88 @ VGS = 10V6.2 Low thermal impedance 15096 @ VGS = 5.5V5.9 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

 9.1. Size:324K  analog power
am7490n.pdfpdf_icon

AM7492N

Analog Power AM7490NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)48 @ VGS = 10V8.3 Low thermal impedance 15054 @ VGS = 5.5V7.9 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLU

 9.2. Size:330K  analog power
am7498n.pdfpdf_icon

AM7492N

Analog Power AM7498NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)360 @ VGS = 10V3.1 Low thermal impedance 150370 @ VGS = 4.5V3.0 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits A

 9.3. Size:102K  analog power
am7496n.pdfpdf_icon

AM7492N

Analog Power AM7496NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m() ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 220 @ VGS = 10V 3.9150battery-powered products su

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FQA18N50V2 | STL9N60M2 | MDU2657RH | HM150N03 | SWD7N65DD | QM3022D | SSM3K14T

 

 
Back to Top

 


 
.