AM8204 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM8204
Маркировка: E6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
Время нарастания (tr): 1 ns
Выходная емкость (Cd): 140 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
Тип корпуса: SOT-26
AM8204 Datasheet (PDF)
am8204.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AiT Semiconductor Inc. AM8204 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8204 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 17m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 22m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use
am8208.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AiT Semiconductor Inc. AM8208 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8208 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 17m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 22m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use
am8206.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AiT Semiconductor Inc. AM8206 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8206 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 7A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R
am8205.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AiT Semiconductor Inc. AM8205 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8205 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![AM8204](https://alltransistors.com/images/us.png)
![AM8204](https://alltransistors.com/images/es.png)
![AM8204](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C