Справочник MOSFET. AM8204

 

AM8204 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM8204
   Маркировка: E6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26

 Аналог (замена) для AM8204

 

 

AM8204 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:812K  ait semi
 am8204.pdf

AM8204 AM8204

AiT Semiconductor Inc. AM8204 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8204 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 17m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 22m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use

 9.1. Size:795K  ait semi
 am8208.pdf

AM8204 AM8204

AiT Semiconductor Inc. AM8208 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8208 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 17m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 22m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use

 9.2. Size:788K  ait semi
 am8206.pdf

AM8204 AM8204

AiT Semiconductor Inc. AM8206 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8206 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 7A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R

 9.3. Size:827K  ait semi
 am8205.pdf

AM8204 AM8204

AiT Semiconductor Inc. AM8205 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8205 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top