AM8204 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AM8204
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: SOT-26
Аналог (замена) для AM8204
AM8204 Datasheet (PDF)
am8204.pdf

AiT Semiconductor Inc. AM8204 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8204 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 17m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 22m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use
am8208.pdf

AiT Semiconductor Inc. AM8208 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8208 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 17m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 22m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use
am8206.pdf

AiT Semiconductor Inc. AM8206 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8206 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 7A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R
am8205.pdf

AiT Semiconductor Inc. AM8205 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8205 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R
Другие MOSFET... AM7940N , AM7960N , AM7961P , AM7962N , AM80N03-05D , AM80N03-06D , AM80N06-05D , AM80N20-40PCFM , IRF740 , AM8205 , AM8206 , AM8208 , AM8810 , AM8811 , AM8812 , AM8814 , AM8820 .
History: QJD1210010 | CEB110P03 | HTJ850P03 | IRF7704PBF | HTJ600N06 | IRF5M4905 | MTP2611V8
History: QJD1210010 | CEB110P03 | HTJ850P03 | IRF7704PBF | HTJ600N06 | IRF5M4905 | MTP2611V8



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965