AM8208 - аналоги и даташиты транзистора

 

AM8208 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AM8208
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для AM8208

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM8208 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  ait semi
 am8208.pdf pdf_icon

AM8208

AiT Semiconductor Inc. AM8208 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8208 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 17m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 22m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use

 9.1. Size:788K  ait semi
 am8206.pdf pdf_icon

AM8208

AiT Semiconductor Inc. AM8206 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8206 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 7A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R

 9.2. Size:827K  ait semi
 am8205.pdf pdf_icon

AM8208

AiT Semiconductor Inc. AM8205 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8205 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R

 9.3. Size:812K  ait semi
 am8204.pdf pdf_icon

AM8208

AiT Semiconductor Inc. AM8204 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8204 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 17m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 22m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM7962N , AM80N03-05D , AM80N03-06D , AM80N06-05D , AM80N20-40PCFM , AM8204 , AM8205 , AM8206 , IRF540N , AM8810 , AM8811 , AM8812 , AM8814 , AM8820 , AM8881 , AM8882 , AM8958 .

 

 
Back to Top

 


 
.