Справочник MOSFET. AM8810

 

AM8810 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM8810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для AM8810

 

 

AM8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:798K  ait semi
 am8810.pdf

AM8810 AM8810

AiT Semiconductor Inc. AM8810 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8810 uses advanced trench technology to V =20V,I =7A, DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 16m @ V =4.5V DS(ON) DS(ON) GS operation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 20m @ V =2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use as

 9.1. Size:727K  ait semi
 am8814.pdf

AM8810 AM8810

AiT Semiconductor Inc. AM8814 www.ait-ic.com MOSFET 20V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8814 is the Dual N-Channel logic 20V/7.5A, R =12.5m(typ.)@V =4.5V DS(ON) GSenhancement mode power field effect transistor which 20V/5.5A, R =16m(typ.)@V =2.5V DS(ON) GSis produced using high cell density advanced trench Super high design for

 9.2. Size:876K  ait semi
 am8812.pdf

AM8810 AM8810

AiT Semiconductor Inc. AM8812 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8812 uses advanced trench technology to V =20V,I =8A, DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 11m @ V =4.5V DS(ON) DS(ON) GS operation with gate voltages as low as 1.8V. This Typ.R = 15m @ V =2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use as

 9.3. Size:779K  ait semi
 am8811.pdf

AM8810 AM8810

AiT Semiconductor Inc. AM8811 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8811 uses advanced trench technology to V =20V,I =11A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top