Справочник MOSFET. AM8814

 

AM8814 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM8814
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для AM8814

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM8814 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  ait semi
am8814.pdfpdf_icon

AM8814

AiT Semiconductor Inc. AM8814 www.ait-ic.com MOSFET 20V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8814 is the Dual N-Channel logic 20V/7.5A, R =12.5m(typ.)@V =4.5V DS(ON) GSenhancement mode power field effect transistor which 20V/5.5A, R =16m(typ.)@V =2.5V DS(ON) GSis produced using high cell density advanced trench Super high design for

 9.1. Size:876K  ait semi
am8812.pdfpdf_icon

AM8814

AiT Semiconductor Inc. AM8812 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8812 uses advanced trench technology to V =20V,I =8A, DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 11m @ V =4.5V DS(ON) DS(ON) GS operation with gate voltages as low as 1.8V. This Typ.R = 15m @ V =2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use as

 9.2. Size:779K  ait semi
am8811.pdfpdf_icon

AM8814

AiT Semiconductor Inc. AM8811 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8811 uses advanced trench technology to V =20V,I =11A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R

 9.3. Size:798K  ait semi
am8810.pdfpdf_icon

AM8814

AiT Semiconductor Inc. AM8810 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8810 uses advanced trench technology to V =20V,I =7A, DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 16m @ V =4.5V DS(ON) DS(ON) GS operation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 20m @ V =2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use as

Другие MOSFET... AM80N20-40PCFM , AM8204 , AM8205 , AM8206 , AM8208 , AM8810 , AM8811 , AM8812 , IRFZ44 , AM8820 , AM8881 , AM8882 , AM8958 , AM8958C , AM8N20-600D , AM8N25-550D , AM90N02-04D .

History: CTLDM7003-M621 | AO4938

 

 
Back to Top

 


 
.