AM8N25-550D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM8N25-550D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AM8N25-550D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM8N25-550D даташит

 ..1. Size:300K  analog power
 am8n25-550d.pdf pdf_icon

AM8N25-550D

Analog Power AM8N25-550D N-Channel 250-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 550 @ VGS = 10V 7.8 Low thermal impedance 250 700 @ VGS = 5.5V 7.0 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE M

 9.1. Size:299K  analog power
 am8n20-600d.pdf pdf_icon

AM8N25-550D

Analog Power AM8N20-600D N-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 600 @ VGS = 10V 7.5 Low thermal impedance 200 750 @ VGS = 4.5V 6.7 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE

Другие IGBT... AM8812, AM8814, AM8820, AM8881, AM8882, AM8958, AM8958C, AM8N20-600D, AO3400, AM90N02-04D, AM90N03-01P, AM90N03-02D, AM90N03-03B, AM90N03-03P, AM90N03-04D, AM90N03-04I, AM90N03-06B