Справочник MOSFET. IXFH30N50

 

IXFH30N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFH30N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 227 nC
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXFH30N50

 

 

IXFH30N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  ixys
 ixfh30n50 ixfh32n50 ixft30n50 ixft32n50.pdf

IXFH30N50 IXFH30N50

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT 30N50500 V 30 A 0.16 WPower MOSFETsIXFH/IXFT 32N50500 V 32 A 0.15 WN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM Familytrr 250 nsTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)ID25 TC

 0.1. Size:320K  ixys
 ixfh30n50p ixft30n50p ixfv30n50p.pdf

IXFH30N50 IXFH30N50

VDSS = 500 VIXFH 30N50PPolarHVTM HiPerFETID25 = 30 AIXFT 30N50PPower MOSFET RDS(on) 200 m IXFV 30N50PN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsIXFV 30N50PSAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VD (TAB)VDGR TJ = 25 C to

 0.2. Size:109K  ixys
 ixfh30n50q.pdf

IXFH30N50 IXFH30N50

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT 30N50500 V 30 A 0.16 WPower MOSFETsIXFH/IXFT 32N50500 V 32 A 0.15 WN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM Familytrr 250 nsTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)ID25 TC

 7.1. Size:185K  ixys
 ixfh30n60x ixfq30n60x ixft30n60x.pdf

IXFH30N50 IXFH30N50

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFT30N60XPower MOSFET ID25 = 30AIXFQ30N60X RDS(on) 155m IXFH30N60XTO-268 (IXFT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VGVDGR TJ = 25C to 150

 7.2. Size:258K  ixys
 ixfh30n85x.pdf

IXFH30N50 IXFH30N50

Advance Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFT30N85XHVPower MOSFET ID25 = 30AIXFH30N85X RDS(on) 220m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268HV (IXFT)Fast Intrinsic DiodeGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 850 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VTO-

 7.3. Size:324K  ixys
 ixfh30n60p ixfv30n60p ixft30n60p.pdf

IXFH30N50 IXFH30N50

IXFH 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFT 30N60P ID25 = 30 APower MOSFET IXFV 30N60P RDS(on) 240 m N-Channel Enhancement ModeIXFV 30N60PS trr 200 nsFast Recovery DiodeAvalanche RatedPLUS220 (IXFV)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

 7.4. Size:212K  inchange semiconductor
 ixfh30n85x.pdf

IXFH30N50 IXFH30N50

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFH30N85XFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsLow switching lossLow on-state resistanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие MOSFET... IXFH20N60Q , IXFH20N80Q , IXFH21N50 , IXFH22N55 , IXFH24N50 , IXFH26N50 , IXFH26N50Q , IXFH26N60Q , 2N7000 , IXFH32N50 , IXFH32N50Q , IXFH35N30 , IXFH40N30 , IXFH40N30Q , IXFH42N20 , IXFH4N100Q , IXFH50N20 .

 

 
Back to Top