Справочник MOSFET. STN2306

 

STN2306 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STN2306
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23L

 Аналог (замена) для STN2306

 

 

STN2306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  semtron
 stn2306.pdf

STN2306 STN2306

STN2306 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STN2306 is the N-Channel logic enhancement 30V/3.6A, RDS(ON)= 45m(typ.)@VGS= 10V mode power field effect transistor is produced using 30V/2.8A, RDS(ON)= 55m(typ.)@VGS= 4.5V high cell density. advanced trench technology to Super high density cell design for extremely provide excellent RDS(ON)

 8.1. Size:368K  semtron
 stn2300a.pdf

STN2306 STN2306

STN2300A 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STN2300A is the N-Channel logic 20V/4.0A, RDS(ON) =22m(typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor is 20V/3.0A, RDS(ON) =25m(typ.)@VGS =2.5V produced using high cell density. advanced trench 20V/2.0A, RDS(ON) =33m(typ.)@VGS =1.8V technology to provide excellent RD

 8.2. Size:367K  semtron
 stn2300.pdf

STN2306 STN2306

STN2300 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STN2300 is the N-Channel logic enhancement 20V/4.0A, RDS(ON) =26m(typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/3.0A, RDS(ON) =35m(typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.0A, RDS(ON) =50m(typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

 8.3. Size:367K  semtron
 stn2302.pdf

STN2306 STN2306

STN2302 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STN2302 is the N-Channel logic enhancement 20V/4.0A, RDS(ON) =50m(typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/3.0A, RDS(ON) =65m(typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). low gate charge and Super high densi

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top