STN3406 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STN3406
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 272 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOT-23L
STN3406 Datasheet (PDF)
stn3406.pdf
STN3406 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STN3406 is the N-Channel logic enhancement 30V/5.6A, RDS(ON) =23m(typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using 30V/4.2A, RDS(ON) =35m(typ.)@VGS =4.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent Super high density cell design for extremely l
stn3400a.pdf
STN3400A 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STN3400A is the N-Channel logic 30V/5.6A, RDS(ON) =28m(typ.)@VGS =10V enhancement mode power field effect transistor is 30V/5.0A, RDS(ON) =30m(typ.)@VGS =4.5V produced using high cell density. advanced trench 30V/3.2A, RDS(ON) =35m(typ.)@VGS =2.5V technology to provide excellent RDS
stn3404.pdf
STN3404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STN3404 is the N-Channel logic enhancement 30V/6.0A, RDS(ON) =18m(typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using 30V/4.8A, RDS(ON) =25m(typ.)@VGS =4.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent Super high density cell design for extremely l
stn3400.pdf
STN3400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STN3400 is the N-Channel logic enhancement 30V/5.8A, RDS(ON) =24m(typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using 30V/5.0A, RDS(ON) =26m(typ.)@VGS =4.5V high cell density. advanced trench technology to 30V/3.5A, RDS(ON) =30m(typ.)@VGS =2.5V provide excellent RDS(
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
