STN4130. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN4130

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 155 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для STN4130

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN4130 даташит

 ..1. Size:812K  stansontech
 stn4130.pdf pdf_icon

STN4130

STN4130 N Channel Enhancement Mode MOSFET 30.0A DESCRIPTION STN4130 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. FEATURE PIN CONFIGURATION (D-PAK) 60V/20.0A, RDS(ON) = 40m (Typ.) TO-252 @VGS = 10V 6

 9.1. Size:542K  stansontech
 stn4102.pdf pdf_icon

STN4130

STN4102 N Channel Enhancement Mode MOSFET 15.0A DESCRIPTION STN4102 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STN410D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been op

 9.2. Size:870K  stansontech
 stn4110.pdf pdf_icon

STN4130

STN4110 N Channel Enhancement Mode MOSFET 40.0A DESCRIPTION STN4110 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. PIN CONFIGURATION (D-PAK) FEATURE 60V/20.0A, RDS(ON) = 10m (Typ.) TO-252 TO-251 @VGS =

 9.3. Size:828K  stansontech
 stn4186d.pdf pdf_icon

STN4130

STN4186D N Channel Enhancement Mode MOSFET 35.0A DESCRIPTION STN4186D is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STN454D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STN3406, STN3414, STN3446, STN3456, STN3P6F6, STN4102, STN410D, STN4110, IRF740, STN4186D, STN4189D, STN4346, STN4392, STN4402, STN4412, STN4416, STN4426