STP100N8F6. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STP100N8F6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 244 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP100N8F6
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STP100N8F6 даташит
stp100n8f6.pdf
STP100N8F6 N-channel 80 V, 0.008 typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features TAB Order code VDS RDS(on)max ID PTOT STP100N8F6 80 V 0.009 100A 176 W Very low on-resistance Very low gate charge 3 2 High avalanche ruggedness 1 Low gate drive power loss TO-220 Applications Switching applications F
stp100n8f6.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STP100N8F6 FEATURES Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMET
stb100nf03l-03-1 stb100nf03l-03t4 stb100nf03l-03 stb100nf03l-03-1 stp100nf03l-03.pdf
STP100NF03L-03 STB100NF03L-03 STB100NF03L-03-1 N-channel 30V - 0.0026 - 100A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB100NF03L-03 30V
stb100n10f7 std100n10f7 stf100n10f7 stf100n10f7 stp100n10f7.pdf
STB100N10F7, STD100N10F7, STF100N10F7, STP100N10F7 N-channel 100 V, 0.0068 typ., 80 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220 Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS max ID PTOT 1 3 1 DPAK STB100N10F7 80 A 120 W D2PAK STD100N10F7 80 A 120W TAB 100 V 0.008 STF100N10F7 45 A 30 W STP100N10F7 80A 150 W
Другие IGBT... STN6303, STN6562, STN7400, STN80T08, STN8822, STN8822A, STN8882D, STP100N10F7, IRFP260, STP1013, STP105N3LL, STP10N105K5, STP10N60M2, STP10N65K3, STP10N95K5, STP10NK50Z, STP10NK60ZFP
History: PHP3N50E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364







