STP105N3LL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP105N3LL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP105N3LL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP105N3LL даташит

 ..1. Size:813K  st
stp105n3ll.pdfpdf_icon

STP105N3LL

STP105N3LL N-channel 30 V, 2.7 m typ., 150 A, STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID TAB STP105N3LL 30 V 3.5 m 150 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) 3 2 1 High avalanche ruggedness TO-220 Low gate drive power losses Applications S

 ..2. Size:205K  inchange semiconductor
stp105n3ll.pdfpdf_icon

STP105N3LL

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STP105N3LL FEATURES Typical R (on)=0.0027 DS With low gate drive requirements High avalanche ruggedness 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Solenold and relay dirvers DC-DC &DC-CA converters Automotive environment ABSOLUTE

 9.1. Size:735K  st
stp10ln80k5.pdfpdf_icon

STP105N3LL

STP10LN80K5 N-channel 800 V, 0.55 typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STP10LN80K5 800 V 0.63 8 A Industry s lowest RDS(on) x area Industry s best figure of merit (FoM) Ultra-low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applications Swit

 9.2. Size:1627K  st
stb10n60m2 std10n60m2 stp10n60m2 stu10n60m2.pdfpdf_icon

STP105N3LL

STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2 N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D PAK, DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID 1 3 1 DPAK STB10N60M2 D 2 PAK STD10N60M2 650 V 0.600 7.5 A STP10N60M2 TAB TAB STU10N60M2 3 Extremely low gate ch

Другие IGBT... STN7400, STN80T08, STN8822, STN8822A, STN8882D, STP100N10F7, STP100N8F6, STP1013, SPP20N60C3, STP10N105K5, STP10N60M2, STP10N65K3, STP10N95K5, STP10NK50Z, STP10NK60ZFP, STP10P6F6, STP110N10F7