STP10P6F6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP10P6F6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP10P6F6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP10P6F6 даташит

 ..1. Size:1198K  st
std10p6f6 stf10p6f6 stp10p6f6 stu10p6f6.pdfpdf_icon

STP10P6F6

STD10P6F6, STF10P6F6, STP10P6F6, STU10P6F6 P-channel -60 V, 0.13 typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDS RDS(on) max ID 3 STD10P6F6 1 3 STF10P6F6 2 DPAK -60 V 0.16 -10 A 1 STP10P6F6 TO-220FP STU10P6F6 TAB TAB Very low on-resistance 3 Very low gate char

 ..2. Size:1525K  st
std10p6f6 stf10p6f6 stf10p6f6 stp10p6f6 stu10p6f6.pdfpdf_icon

STP10P6F6

STD10P6F6, STF10P6F6, STP10P6F6, STU10P6F6 P-channel 60 V, 0.13 typ., 10 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDSS RDS(on) max ID 3 1 STD10P6F6 3 2 DPAK STF10P6F6 1 60 V 0.16 10 A TO-220FP STP10P6F6 TAB STU10P6F6 TAB RDS(on) * Qg industry benchmark 3 2

 9.1. Size:735K  st
stp10ln80k5.pdfpdf_icon

STP10P6F6

STP10LN80K5 N-channel 800 V, 0.55 typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STP10LN80K5 800 V 0.63 8 A Industry s lowest RDS(on) x area Industry s best figure of merit (FoM) Ultra-low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applications Swit

 9.2. Size:1627K  st
stb10n60m2 std10n60m2 stp10n60m2 stu10n60m2.pdfpdf_icon

STP10P6F6

STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2 N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D PAK, DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID 1 3 1 DPAK STB10N60M2 D 2 PAK STD10N60M2 650 V 0.600 7.5 A STP10N60M2 TAB TAB STU10N60M2 3 Extremely low gate ch

Другие IGBT... STP1013, STP105N3LL, STP10N105K5, STP10N60M2, STP10N65K3, STP10N95K5, STP10NK50Z, STP10NK60ZFP, IRF1010E, STP110N10F7, STP110N55F6, STP110N8F6, STP11N65M2, STP11N65M5, STP11NM60A, STP11NM60FDFP, STP11NM60FP