STP11NM65N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP11NM65N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.455 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP11NM65N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP11NM65N даташит

 ..1. Size:1258K  st
std11nm65n stf11nm65n stf11nm65n stp11nm65n.pdfpdf_icon

STP11NM65N

STD11NM65N, STF11NM65N, STFI11NM65N, STP11NM65N N-channel 650 V, 0.425 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I PAKFP and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB VDSS @ RDS(on) 3 Order codes ID 1 TJmax max 3 DPAK 2 1 STD11NM65N STF11NM65N TO-220FP 710 V

 ..2. Size:1258K  st
std11nm65n stf11nm65n stfi11nm65n stp11nm65n.pdfpdf_icon

STP11NM65N

STD11NM65N, STF11NM65N, STFI11NM65N, STP11NM65N N-channel 650 V, 0.425 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I PAKFP and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB VDSS @ RDS(on) 3 Order codes ID 1 TJmax max 3 DPAK 2 1 STD11NM65N STF11NM65N TO-220FP 710 V

 ..3. Size:539K  st
stb11nm65n stf11nm65n stp11nm65n stw11nm65n.pdfpdf_icon

STP11NM65N

STB11NM65N - STF11NM65N STI11NM65N-STP11NM65N-STW11NM65N N-channel 650V - 0.33 - 12A - TO-220/FP- D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID (@TJmax) Max 3 2 3 1 2 STI11NM65N 710 V

 6.1. Size:624K  st
stb11nm60t4 stp11nm60.pdfpdf_icon

STP11NM65N

STB11NM60T4, STP11NM60 Datasheet N-channel 600 V, 0.4 typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D PAK and TO-220 packages Features VDSS TAB RDS(on) max. ID TAB Order codes Package (@ TJmax) STB11NM60T4 D PAK 3 650 V 0.45 11 A 1 3 2 STP11NM60 TO-220 D PAK TO-220 2 1 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance D(2

Другие IGBT... STP110N55F6, STP110N8F6, STP11N65M2, STP11N65M5, STP11NM60A, STP11NM60FDFP, STP11NM60FP, STP11NM60N, AO4407, STP120NH03L, STP12N50M2, STP12N60M2, STP12NM50FD, STP12NM50FP, STP12NM50N, STP12NM60N, STP130N10F3