Справочник MOSFET. STP13NM60ND

 

STP13NM60ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP13NM60ND
   Маркировка: 13NM60ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 109 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для STP13NM60ND

 

 

STP13NM60ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1546K  st
 std13nm60nd stf13nm60nd stp13nm60nd.pdf

STP13NM60ND STP13NM60ND

STD13NM60ND, STF13NM60ND, STP13NM60NDN-channel 600 V, 0.32 typ., 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK, TO-220FP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID313STD13NM60ND21DPAKSTF13NM60ND 650 V 0.38 11 ATO-220FPSTP13NM60NDTAB The worldwide best RDS(on)* area among fast recove

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
 stp13nm60nd.pdf

STP13NM60ND STP13NM60ND

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel Mosfet Transistor STP13NM60NDFEATURESDrain Current I = 11A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

 4.1. Size:1276K  st
 stb13nm60n std13nm60n stf13nm60n stp13nm60n stw13nm60n.pdf

STP13NM60ND STP13NM60ND

STB13NM60N,STD13NM60N,STF13NM60NSTP13NM60N,STW13NM60NN-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmesh II Power MOSFETin D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max3322STB13NM60N 650 V

 4.2. Size:984K  st
 stf13nm60n sti13nm60n stp13nm60n stu13nm60n stw13nm60n.pdf

STP13NM60ND STP13NM60ND

STF13NM60N, STI13NM60N, STP13NM60N,STU13NM60N, STW13NM60NN-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, IPAK, TO-220, IPAK, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max3322 1STF13NM60N 1IPAKTO-220FPSTI13NM60NSTP13NM60N 650 V

 4.3. Size:189K  inchange semiconductor
 stp13nm60n.pdf

STP13NM60ND STP13NM60ND

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP13NM60NFEATURESTypical R (on)=0.28DSLow gate input resistance100% avalanche testedLow input capacitance and gate chargeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top