STP18N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP18N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP18N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP18N65M5 даташит

 ..1. Size:948K  st
 stf18n65m5 sti18n65m5 stp18n65m5 stw18n65m5.pdf pdf_icon

STP18N65M5

STF18N65M5, STI18N65M5, STP18N65M5, STW18N65M5 N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP, I PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet production data Features TAB VDSS @ RDS(on) Order code ID TJmax max 3 2 1 3 STF18N65M5 2 1 TO-220FP STI18N65M5 I PAK 710 V

 5.1. Size:525K  st
 sti18n65m2 stp18n65m2.pdf pdf_icon

STP18N65M5

STI18N65M2, STP18N65M2 N-channel 650 V, 0.275 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID TAB TAB STI18N65M2 650V 0.33 12 A STP18N65M2 3 3 2 2 1 1 Extremely low gate charge I2PAK TO-220 Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested Zener-prote

 7.1. Size:287K  st
 stp18n60dm2.pdf pdf_icon

STP18N65M5

STP18N60DM2 N-channel 600 V, 0.260 typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STP18N60DM2 600 V 0.295 12 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness Ze

 7.2. Size:1200K  st
 stb18n60m2 stp18n60m2 stw18n60m2.pdf pdf_icon

STP18N65M5

STB18N60M2, STP18N60M2, STW18N60M2 N-channel 600 V, 0.255 typ., 13 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) 3 Order codes ID 1 TJmax max 2 D PAK STB18N60M2 STP18N60M2 650 V 0.28 13 A TAB STW18N60M2 Extremely low gate charge 3 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP16NF06LFP, STP16NK65Z, STP16NM50N, STP16NS25, STP16NS25FP, STP170N8F7, STP18N60M2, STP18N65M2, AO4468, STP18NM60ND, STP190NF04, STP19N05L, STP19NB20, STP19NB20FP, STP19NM65N, STP1N105K3, STP20N20