STP20N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP20N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 197 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP20N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP20N20 даташит

 ..1. Size:343K  st
stp20n20.pdfpdf_icon

STP20N20

STP20N20 STF20N20 - STD20N20 N-CHANNEL 200V - 0.10 - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) Id PTOT STD20N20 200 V

 8.1. Size:335K  st
stp20nf06 stf20nf06.pdfpdf_icon

STP20N20

STP20NF06 STF20NF06 N-channel 60V - 0.06 - 20A - TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP20NF06 60V

 8.2. Size:313K  st
stb20nm50-1 stb20nm50 stb20nm50t4 stp20nm50fp.pdfpdf_icon

STP20N20

STB20NM50 - STB20NM50-1 STP20NM50 - STP20NM50FP N-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@TJmax) 3 3 2 STB20NM50 550V

 8.3. Size:309K  st
stb20nm60a-1 stp20nm60a stf20nm60a.pdfpdf_icon

STP20N20

STB20NM60A-1 STP20NM60A - STF20NM60A N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 - 20A I PAK/TO-220/TO-220FP MDmesh MOSFET TYPE VDSS @Tjmax RDS(on) ID STB20NM60A-1 650 V

Другие IGBT... STP18N65M5, STP18NM60ND, STP190NF04, STP19N05L, STP19NB20, STP19NB20FP, STP19NM65N, STP1N105K3, IRF540, STP20N65M5, STP20NE06L, STP20NE06LFP, STP20NM50FP, STP20NM60A, STP21NM50N, STP21NM60N, STP2301