Справочник MOSFET. STP20N20

 

STP20N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP20N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 197 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP20N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  st
stp20n20.pdfpdf_icon

STP20N20

STP20N20STF20N20 - STD20N20N-CHANNEL 200V - 0.10 - 18A TO-220/TO-220FP/DPAKLOW GATE CHARGE STripFET II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) Id PTOTSTD20N20 200 V

 8.1. Size:335K  st
stp20nf06 stf20nf06.pdfpdf_icon

STP20N20

STP20NF06STF20NF06N-channel 60V - 0.06 - 20A - TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP20NF06 60V

 8.2. Size:313K  st
stb20nm50-1 stb20nm50 stb20nm50t4 stp20nm50fp.pdfpdf_icon

STP20N20

STB20NM50 - STB20NM50-1STP20NM50 - STP20NM50FPN-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@TJmax)332STB20NM50 550V

 8.3. Size:309K  st
stb20nm60a-1 stp20nm60a stf20nm60a.pdfpdf_icon

STP20N20

STB20NM60A-1STP20NM60A - STF20NM60AN-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 - 20A IPAK/TO-220/TO-220FPMDmesh MOSFETTYPE VDSS @Tjmax RDS(on) IDSTB20NM60A-1 650 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.