STP240N10F7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP240N10F7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 139 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP240N10F7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP240N10F7 даташит

 ..1. Size:616K  st
stp240n10f7.pdfpdf_icon

STP240N10F7

STP240N10F7 N-channel 100 V, 2.85 m typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max. ID TAB STP240N10F7 100 V 3.2 m 110 A Ultra low on-resistance 100% avalanche tested 3 2 1 Applications TO-220 High current switching applications Description This N-channel Power MOSFET utilizes the F

 9.1. Size:419K  st
stb24nf10 stp24nf10.pdfpdf_icon

STP240N10F7

STB24NF10 STP24NF10 N-channel 100V - 0.0055 - 26A - TO-220 - D PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB24NF10 100V

 9.2. Size:1556K  st
stb24n60m2 sti24n60m2 stp24n60m2 stw24n60m2.pdfpdf_icon

STP240N10F7

STB24N60M2, STI24N60M2, STP24N60M2, STW24N60M2 N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID 2 3 1 STB24N60M2 3 2 1 D2PAK STI24N60M2 I2PAK 650 V 0.19 18 A STP24N60M2 TAB STW24N60M2 Extremely low gate charge

 9.3. Size:1178K  st
stb24n65m2 stf24n65m2 stp24n65m2.pdfpdf_icon

STP240N10F7

STB24N65M2, STF24N65M2, STP24N65M2 N-channel 650 V, 0.185 typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order codes V R max I DS DS(on) D STB24N65M2 STF24N65M2 650 V 0.23 16 A STP24N65M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100% avalanche tested Ze

Другие IGBT... STP20NE06LFP, STP20NM50FP, STP20NM60A, STP21NM50N, STP21NM60N, STP2301, STP2305, STP23NM60N, IRFB4227, STP24N60DM2, STP24N60M2, STP24N65M2, STP25N10F7, STP25N80K5, STP25NM50N, STP25NM60N, STP260N6F6