IRFR3410PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR3410PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

Аналог (замена) для IRFR3410PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR3410PBF даташит

 ..1. Size:231K  international rectifier
 irfr3410pbf irfu3410pbf.pdf pdf_icon

IRFR3410PBF

PD - 95514A IRFR3410PbF IRFU3410PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l High frequency DC-DC converters 100V 39m 31A l Lead-Free Benefits l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage D-Pak I-Pak and Cu

 6.1. Size:140K  international rectifier
 irfr3410.pdf pdf_icon

IRFR3410PBF

PD - 94505 IRFR3410 IRFU3410 HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l High frequency DC-DC converters 100V 39m 31A Benefits l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage D-Pak I-Pak and Current IRFR3410 IRFU

 6.2. Size:1054K  cn evvo
 irfr3410.pdf pdf_icon

IRFR3410PBF

IRFR3410 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The IRFR3410 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This D S device is suitable for use as a G Battery protection or in other Switching application. TO-252-2L General Features V = 100V I = 30A DS D PIN2 D R

 6.3. Size:822K  cn vbsemi
 irfr3410tr.pdf pdf_icon

IRFR3410PBF

IRFR3410TR www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.030 at VGS = 10 V 40 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 37 COMPLIANT D TO-252 G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP25N80K5, STP25NM50N, STP25NM60N, STP260N6F6, STP265N6F6AG, STP26NM60ND, STP270N04, IRFR3303PBF, 2SK3878, IRFR3411PBF, IRFR3412PBF, IRFR3418PBF, IRFR3504PBF, IRFR3504ZPBF, IRFR3505PBF, IRFR3518PBF, IRFR3607PBF