IRFR3710ZPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFR3710ZPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO-252AA
Аналог (замена) для IRFR3710ZPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFR3710ZPBF даташит
irfr3710zpbf irfu3710zpbf irfu3710z-701pbf.pdf
PD - 95513D IRFR3710ZPbF IRFU3710ZPbF IRFU3710Z-701PbF Features l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 100V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 18m l Multiple Package Options G l Lead-Free ID = 42A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest pro
irfr3710zpbf.pdf
PD - 95513D IRFR3710ZPbF IRFU3710ZPbF IRFU3710Z-701PbF Features l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 100V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 18m l Multiple Package Options G l Lead-Free ID = 42A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest pro
auirfr3710ztrl.pdf
PD - 97451 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR3710Z HEXFET Power MOSFET Features D l Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V l Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 18m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 56A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID (Package Limited) 42A l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * Description
auirfr3710z.pdf
PD - 97451 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR3710Z HEXFET Power MOSFET Features D l Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V l Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 18m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 56A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID (Package Limited) 42A l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * Description
Другие IGBT... IRFR3704ZPBF, IRFR3706, IRFR3706CPBF, IRFR3706PBF, IRFR3707, IRFR3707PBF, IRFR3708PBF, IRFR3709ZPBF, AON6380, IRFR3711, IRFR3711PBF, IRFR3711ZCPBF, IRFR3711ZPBF, IRFR3806PBF, IRFR3910PBF, IRFR3911PBF, IRFR4104PBF
History: PJS6832
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement





