Справочник MOSFET. STP28NM60ND

 

STP28NM60ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP28NM60ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для STP28NM60ND

 

 

STP28NM60ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1665K  st
stb28nm60nd stf28nm60nd stp28nm60nd stw28nm60nd.pdf

STP28NM60ND STP28NM60ND

STB28NM60ND, STF28NM60ND,STP28NM60ND, STW28NM60NDN-channel 600 V, 0.13 typ., 23 A FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABVDS @2Order codes RDS(on) max ID3TJ max.13212STB28NM60NDD PAKTO-220FPSTF28NM60NDTAB650 V 0.150 23 ASTP28NM60NDSTW28NM60ND333221 211

 7.1. Size:790K  st
stb28nm50n stf28nm50n stp28nm50n stw28nm50n.pdf

STP28NM60ND STP28NM60ND

STB28NM50N, STF28NM50NSTP28NM50N, STW28NM50NN-channel 500 V, 0.135 , 21 A D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB28NM50NTO-220TO-220FPSTF28NM50N550 V

 8.1. Size:1114K  st
stb28n60m2 sti28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdf

STP28NM60ND STP28NM60ND

STB28N60M2, STI28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2 N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax DS(on) DSTB28N60M2 STI28N60M2 650 V 0.150 22 A STP28N60M2 STW28N60M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile

 8.2. Size:1235K  st
stb28n65m2 stf28n65m2 stp28n65m2 stw28n65m2.pdf

STP28NM60ND STP28NM60ND

STB28N65M2, STF28N65M2,STP28N65M2, STW28N65M2N-channel 650 V, 0.15 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFETsin DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max IDSTB28N65M233STF28N65M212650 V 0.18 20 A1STP28N65M2D2PAKTO-220FPSTW28N65M2TAB Extremely low gate charge Excellent output

 8.3. Size:1184K  st
stb28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdf

STP28NM60ND STP28NM60ND

STB28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataTAB FeaturesTABVDS @ RDS(on) Order code ID3TJmax max1321STB28N60M2D2PAKTO-220STP28N60M2 650 V 0.150 22 ASTW28N60M2 Extremely low gate charge3 Excellent output capacitance (Coss) prof

 8.4. Size:914K  st
stb28n60dm2 stp28n60dm2 stw28n60dm2.pdf

STP28NM60ND STP28NM60ND

STB28N60DM2, STP28N60DM2, STW28N60DM2 N-channel 600 V, 0.13 typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features V @ R DS DS(on)Order code I P D TOTT max. Jmax.STB28N60DM2 STP28N60DM2 600 V 0.16 21 A 170 W STW28N60DM2 Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacita

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top