STP28NM60ND. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP28NM60ND

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP28NM60ND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP28NM60ND даташит

 ..1. Size:1665K  st
 stb28nm60nd stf28nm60nd stp28nm60nd stw28nm60nd.pdf pdf_icon

STP28NM60ND

STB28NM60ND, STF28NM60ND, STP28NM60ND, STW28NM60ND N-channel 600 V, 0.13 typ., 23 A FDmesh II Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ 2 Order codes RDS(on) max ID 3 TJ max. 1 3 2 1 2 STB28NM60ND D PAK TO-220FP STF28NM60ND TAB 650 V 0.150 23 A STP28NM60ND STW28NM60ND 3 3 3 2 2 1 2 1 1

 7.1. Size:790K  st
 stb28nm50n stf28nm50n stp28nm50n stw28nm50n.pdf pdf_icon

STP28NM60ND

STB28NM50N, STF28NM50N STP28NM50N, STW28NM50N N-channel 500 V, 0.135 , 21 A D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 1 STB28NM50N TO-220 TO-220FP STF28NM50N 550 V

 8.1. Size:1114K  st
 stb28n60m2 sti28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdf pdf_icon

STP28NM60ND

STB28N60M2, STI28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2 N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D PAK, I PAK, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax DS(on) D STB28N60M2 STI28N60M2 650 V 0.150 22 A STP28N60M2 STW28N60M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile

 8.2. Size:1235K  st
 stb28n65m2 stf28n65m2 stp28n65m2 stw28n65m2.pdf pdf_icon

STP28NM60ND

STB28N65M2, STF28N65M2, STP28N65M2, STW28N65M2 N-channel 650 V, 0.15 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - preliminary data Features TAB Order codes VDS RDS(on) max ID STB28N65M2 3 3 STF28N65M2 1 2 650 V 0.18 20 A 1 STP28N65M2 D2PAK TO-220FP STW28N65M2 TAB Extremely low gate charge Excellent output

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR3911PBF, IRFR4104PBF, IRFR4105PBF, IRFR4105ZPBF, STP270N4F3, STP270N8F7, STP28N60M2, STP28N65M2, 5N60, STP2N105K5, STP2N80K5, STP2N95K5, STP300NH02L, STP3052D, STP30NM60N, STP30NM60ND, STP310N10F7