Справочник MOSFET. STP315N10F7

 

STP315N10F7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP315N10F7
   Маркировка: 315N10F7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 315 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 180 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 180 nC
   Время нарастания (tr): 108 ns
   Выходная емкость (Cd): 3500 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для STP315N10F7

 

 

STP315N10F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:817K  st
stp315n10f7.pdf

STP315N10F7
STP315N10F7

STP315N10F7Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTP315N10F7 100 V 2.7 m 180 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified32 Among the lowest RDS(on) on the market1 Excellent figure of merit (FoM)TO-220

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
stp315n10f7.pdf

STP315N10F7
STP315N10F7

isc N-Channel MOSFET Transistor STP315N10F7FEATURESDrain Current : I = 180A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.7m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s

 9.1. Size:1126K  st
stb31n65m5 stf31n65m5 stp31n65m5 stw31n65m5.pdf

STP315N10F7
STP315N10F7

STB31N65M5, STF31N65M5STP31N65M5, STW31N65M5DatasheetN-channel 650 V, 0.124 , 22 A, MDmesh M5 Power MOSFETs in D2PAK, TO220FP, TO220 and TO-247 packagesFeaturesTABVDS @ TJMAX RDS(on ) max. IDOrder code Package3132STB31N65M5D2PAKD PAK 21TO-220FPSTF31N65M5 TO-220FPTAB710 V 0.148 22 ASTP31N65M5 TO-220STW31N65M5 TO-247332TO-220 2TO-24

 9.2. Size:1658K  st
stb31n65m5 stf31n65m5 stfi31n65m5 stp31n65m5 stw31n65m5.pdf

STP315N10F7
STP315N10F7

STB31N65M5, STF31N65M5, STFI31N65M5, STP31N65M5, STW31N65M5N-channel 650 V, 0.124 typ., 22 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PakFP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID231STB31N65M53TAB 2D2PAK1STF31N65M5TO-220FPSTFI31N65M5 710 V

 9.3. Size:819K  st
stp310n10f7.pdf

STP315N10F7
STP315N10F7

STP310N10F7N-channel 100 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTP310N10F7 100 V 2.7 m 180 A Ultra low on-resistance 100% avalanche tested321ApplicationsTO-220 Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis de

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top