STP33N65M2. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STP33N65M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP33N65M2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STP33N65M2 даташит
stb33n65m2 stf33n65m2 sti33n65m2 stp33n65m2.pdf
STB33N65M2, STF33N65M2, STP33N65M2, STI33N65M2 N-channel 650 V, 0.117 typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP, TO-220 and I PAK packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) Order codes VDS max ID STB33N65M2 3 3 1 2 1 STF33N65M2 TO-220FP D2PAK 650 V 0.14 24 A STP33N65M2 TAB TAB STI33N65M2 Extremely low gate charge Exce
stf33n60m2 sti33n60m2 stp33n60m2 stw33n60m2.pdf
STF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2, STW33N60M2 N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) Order codes ID 3 2 3 TJmax max 1 2 1 2 I PAK TO-220FP STF33N60M2 26 A(1) TAB STI33N60M2 650 V 0.125 STP33N60M2 26 A STW33N60M2 3 3 2 2 1
stp33n60dm6.pdf
STP33N60DM6 Datasheet N-channel 600 V, 115 m typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO 220 package Features VDS RDS(on) max. ID Order code TAB STP33N60DM6 600 V 128 m 25 A Fast-recovery body diode 3 2 Lower RDS(on) per area vs previous generation 1 TO-220 Low gate charge, input capacitance and resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt
stb33n60dm2 stp33n60dm2 stw33n60dm2.pdf
STB33N60DM2, STP33N60DM2, STW33N60DM2 N-channel 600 V, 0.110 typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax. DS(on) D STB33N60DM2 650 V 0.130 24 A STP33N60DM2 650 V 0.130 24 A STW33N60DM2 650 V 0.130 24 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charg
Другие IGBT... STP3052D, STP30NM60N, STP30NM60ND, STP310N10F7, STP315N10F7, STP31N65M5, STP32NM50N, STP33N60M2, 75N75, STP3401, STP3401A, STP3407, STP3467, STP3481, STP34N65M5, STP360N4F6, STP36N55M5
History: FK7SM-12
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a




