Справочник MOSFET. STP33N65M2

 

STP33N65M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP33N65M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP33N65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:794K  st
stb33n65m2 stf33n65m2 sti33n65m2 stp33n65m2.pdfpdf_icon

STP33N65M2

STB33N65M2, STF33N65M2,STP33N65M2, STI33N65M2N-channel 650 V, 0.117 typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) Order codes VDS max IDSTB33N65M233121STF33N65M2TO-220FPD2PAK650 V 0.14 24 ASTP33N65M2TAB TABSTI33N65M2 Extremely low gate charge Exce

 7.1. Size:1110K  st
stf33n60m2 sti33n60m2 stp33n60m2 stw33n60m2.pdfpdf_icon

STP33N65M2

STF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2, STW33N60M2N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) Order codes ID32 3TJmax max1212I PAKTO-220FPSTF33N60M2 26 A(1)TABSTI33N60M2650 V 0.125 STP33N60M2 26 ASTW33N60M233221

 7.2. Size:467K  st
stp33n60dm6.pdfpdf_icon

STP33N65M2

STP33N60DM6DatasheetN-channel 600 V, 115 m typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO220 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTP33N60DM6 600 V 128 m 25 A Fast-recovery body diode32 Lower RDS(on) per area vs previous generation1TO-220 Low gate charge, input capacitance and resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt

 7.3. Size:912K  st
stb33n60dm2 stp33n60dm2 stw33n60dm2.pdfpdf_icon

STP33N65M2

STB33N60DM2, STP33N60DM2, STW33N60DM2 N-channel 600 V, 0.110 typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax. DS(on) DSTB33N60DM2 650 V 0.130 24 A STP33N60DM2 650 V 0.130 24 A STW33N60DM2 650 V 0.130 24 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charg

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCE6080ED | AO3415A | 2SK3572-Z | MDD3N50GRH | NCEP018N60 | GT12N06S | 7N60DS

 

 
Back to Top

 


 
.