STP3N80K5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP3N80K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP3N80K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP3N80K5 даташит

 ..1. Size:1589K  st
std3n80k5 stf3n80k5 stp3n80k5 stu3n80k5.pdfpdf_icon

STP3N80K5

STD3N80K5, STF3N80K5, STP3N80K5, STU3N80K5 N-channel 800 V, 2.8 typ., 2.5 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDS RDS(on)max ID PTOT 3 1 STD3N80K5 60 W DPAK STF3N80K5 20 W 3 800 V 3.5 2.5 A 2 1 TAB STP3N80K5 60 W TO-220FP STU3N80K5 TAB TO-220 worldwide bes

 7.1. Size:290K  st
stp3n80xi.pdfpdf_icon

STP3N80K5

 7.2. Size:113K  st
stp3n80.pdfpdf_icon

STP3N80K5

STP3NB80 STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP3NB80 800 V

 9.1. Size:417K  st
stf3nk100z std3nk100z stp3nk100z.pdfpdf_icon

STP3N80K5

STF3NK100Z - STD3NK100Z STP3NK100Z N-channel 1000V - 5.4 - 2.5A - TO-220 - TO-220FP - DPAK Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) VDSS ID PTOT Type Max STF3NK100Z 1000V

Другие IGBT... STP34N65M5, STP360N4F6, STP36N55M5, STP36NE06, STP36NE06FP, STP36NF06FP, STP38N65M5, STP3HNK90Z, EMB04N03H, STP3NA50, STP3NB100, STP3NB80, STP3NB80FP, STP3NK50Z, STP3NK90ZFP, STP400N4F6, STP40N20