Справочник MOSFET. STP3NA50

 

STP3NA50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP3NA50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP3NA50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP3NA50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  st
stp3na50.pdfpdf_icon

STP3NA50

STP3NA50STP3NA50FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP3NA50 500 V

 8.1. Size:59K  st
stp3na90-.pdfpdf_icon

STP3NA50

STP3NA90STP3NA90FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(o n) DSTP3NA90 900 V

 8.2. Size:436K  st
stp3na60.pdfpdf_icon

STP3NA50

STP3NA60STP3NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA60 600 V

 8.3. Size:383K  st
stp3na80.pdfpdf_icon

STP3NA50

STP3NA80STP3NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA80 800 V

Другие MOSFET... STP360N4F6 , STP36N55M5 , STP36NE06 , STP36NE06FP , STP36NF06FP , STP38N65M5 , STP3HNK90Z , STP3N80K5 , MMD60R360PRH , STP3NB100 , STP3NB80 , STP3NB80FP , STP3NK50Z , STP3NK90ZFP , STP400N4F6 , STP40N20 , STP40N60M2 .

History: SIHA22N60AE | SIR164ADP

 

 
Back to Top

 


 
.