STP3NA50 - аналоги и даташиты транзистора

 

STP3NA50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STP3NA50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP3NA50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP3NA50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  st
 stp3na50.pdf pdf_icon

STP3NA50

STP3NA50STP3NA50FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP3NA50 500 V

 8.1. Size:59K  st
 stp3na90-.pdf pdf_icon

STP3NA50

STP3NA90STP3NA90FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(o n) DSTP3NA90 900 V

 8.2. Size:436K  st
 stp3na60.pdf pdf_icon

STP3NA50

STP3NA60STP3NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA60 600 V

 8.3. Size:383K  st
 stp3na80.pdf pdf_icon

STP3NA50

STP3NA80STP3NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA80 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP360N4F6 , STP36N55M5 , STP36NE06 , STP36NE06FP , STP36NF06FP , STP38N65M5 , STP3HNK90Z , STP3N80K5 , RU7088R , STP3NB100 , STP3NB80 , STP3NB80FP , STP3NK50Z , STP3NK90ZFP , STP400N4F6 , STP40N20 , STP40N60M2 .

History: HFP10N65U | INJ0203BC1 | INJ0002AM1 | VBMB165R12 | INJ0002AC1 | QS6M4 | TSM10NC60CF

 

 
Back to Top

 


 
.