STP3NA50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP3NA50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP3NA50
STP3NA50 Datasheet (PDF)
stp3na50.pdf

STP3NA50STP3NA50FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP3NA50 500 V
stp3na90-.pdf

STP3NA90STP3NA90FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(o n) DSTP3NA90 900 V
stp3na60.pdf

STP3NA60STP3NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA60 600 V
stp3na80.pdf

STP3NA80STP3NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA80 800 V
Другие MOSFET... STP360N4F6 , STP36N55M5 , STP36NE06 , STP36NE06FP , STP36NF06FP , STP38N65M5 , STP3HNK90Z , STP3N80K5 , MMD60R360PRH , STP3NB100 , STP3NB80 , STP3NB80FP , STP3NK50Z , STP3NK90ZFP , STP400N4F6 , STP40N20 , STP40N60M2 .
History: SIHA22N60AE | SIR164ADP
History: SIHA22N60AE | SIR164ADP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706