STP5N105K5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP5N105K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1050 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP5N105K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP5N105K5 даташит

 ..1. Size:633K  st
stp5n105k5.pdfpdf_icon

STP5N105K5

STP5N105K5 N-channel 1050 V, 2.9 typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STP5N105K5 1050 V 3.5 3 A 85 W Worldwide best FOM (figure of merit) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switching applications Figure 1 Inte

 8.1. Size:434K  st
stp5n120.pdfpdf_icon

STP5N105K5

STP5N120 N-channel 1200 V, 2.7 , 4.7 A TO-220 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PW STP5N120 1200 V

 9.1. Size:316K  st
stp5n80.pdfpdf_icon

STP5N105K5

 9.2. Size:776K  st
stb5nk52zd-1 std5nk52zd stf5nk52zd stp5nk52zd.pdfpdf_icon

STP5N105K5

STD5NK52ZD, STB5NK52ZD-1 STF5NK52ZD,STP5NK52ZD N-channel 520 V,1.22 ,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FP Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 2 IPAK 3 STB5NK52ZD-1 520 V

Другие IGBT... STP4NB50, STP4NB80, STP4NM60, STP50NE08, STP50NE10, STP55NF03L, STP55NF06FP, STP57N65M5, STP75NF75, STP5N120, STP5N60M2, STP5N95K5, STP5NB40, STP5NB40FP, STP5NB60, STP5NK40Z, STP5NK40ZFP