Справочник MOSFET. STP6N65M2

 

STP6N65M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP6N65M2
   Маркировка: 6N65M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для STP6N65M2

 

 

STP6N65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  st
stf6n65m2 stp6n65m2 stu6n65m2.pdf

STP6N65M2
STP6N65M2

STF6N65M2, STP6N65M2, STU6N65M2N-channel 650 V, 1.2 typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max IDSTF6N65M23 3STP6N65M2 650 V 1.35 4 A2211STU6N65M2TO-220FP TO-220TAB Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile32 1

 8.1. Size:1046K  st
stf6n60m2 stp6n60m2 stu6n60m2.pdf

STP6N65M2
STP6N65M2

STF6N60M2, STP6N60M2, STU6N60M2N-channel 600 V, 1.06 typ., 4.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 32 Order codes ID1TJmax maxIPAK3STF6N60M221STP6N60M2 650 V 1.2 4.5 ATO-220FP TABSTU6N60M2 Extremely low gate charge3 Lower RDS(on) x area vs previous

 8.2. Size:316K  st
stp6n60fi.pdf

STP6N65M2
STP6N65M2

STP6N60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6N60FI 600 V

 8.3. Size:1046K  st
stf6n62k3 stfi6n62k3 sti6n62k3 stp6n62k3 stu6n62k3.pdf

STP6N65M2
STP6N65M2

STF6N62K3, STFI6N62K3, STI6N62K3,STP6N62K3, STU6N62K3N-channel 620 V, 0.95 typ., 5.5 A SuperMESH3 PowerMOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packagesDatasheet - production dataFeatures TABOrder codes VDSS RDS(on) max. ID PTOT33STF6N62K3 30 W2 211STFI6N62K3 30 WTO-220FPIPAKSTI6N62K3 620 V

 8.4. Size:427K  st
std6n62k3 stf6n62k3 stp6n62k3 stu6n62k3.pdf

STP6N65M2
STP6N65M2

STD6N62K3 - STF6N62K3STP6N62K3 - STU6N62K3N-channel 620 V, 1.1 , 5.5 A, IPAK, DPAK, TO-220,TO-220FPSuperMESH3 Power MOSFETFeatures3RDS(on) 3Type VDSS ID Pw2 1max1DPAKSTD6N62K3 620 V

 8.5. Size:1146K  st
sti6n62k3 stp6n62k3 stu6n62k3 stf6n62k3 std6n62k3.pdf

STP6N65M2
STP6N65M2

STD6N62K3, STF6N62K3STI6N62K3, STP6N62K3, STU6N62K3N-channel 620 V, 0.95 , 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFETin IPAK, DPAK, TO-220,TO-220FP, IPAKFeaturesRDS(on) 3Order codes VDSS ID Pw2max.1321IPAKSTD6N62K3 90 WIPAKSTF6N62K3 30 W3STI6N62K3 620 V

 8.6. Size:151K  st
stp6n60f.pdf

STP6N65M2
STP6N65M2

STP6N60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP6N60FI 600 V

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top