STP80N70F6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP80N70F6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 341 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP80N70F6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP80N70F6 даташит

 ..1. Size:773K  st
stp80n70f6.pdfpdf_icon

STP80N70F6

STP80N70F6 N-channel 68 V, 0.0063 typ., 96 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in TO-220 package Datasheet - production data Features TAB VDSS Order code RDS(on) max. ID PTOT max.

 5.1. Size:653K  st
stp80n70f4.pdfpdf_icon

STP80N70F6

STP80N70F4 N-channel 68 V, 8.2 m typ., 85 A STripFET DeepGATE Power MOSFET in TO-220 package Datasheet production data Features Order code VDSS RDS(on) max ID STP80N70F4 68 V

 8.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STP80N70F6

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

 8.2. Size:232K  st
stp80nf10fp.pdfpdf_icon

STP80N70F6

STP80NF10FP N-channel 100V - 0.012 - 38A - TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID(1) STP80NF10FP 100V

Другие IGBT... STP7N60M2, STP7N65M2, STP7N80K5, STP7NB60, STP7NK40ZFP, STP7NM50N, STP80N10F7, STP80N6F6, IRFZ48N, STP80NE03L-06, STP80NE06-10, STP80NF03L, STP80NF03L-04, STP80NF55-06FP, STP8N80K5, STP8NK85Z, STP8NM50FP