Справочник MOSFET. STP80NE06-10

 

STP80NE06-10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP80NE06-10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP80NE06-10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  st
stp80ne06-10.pdfpdf_icon

STP80NE06-10

STP80NE06-10N-CHANNEL 60V - 0.0085 - 80A TO-220"SINGLE FEATURE SIZE" MOSFETTable 1. General Features Figure 1. PackageType VDSS RDS(on) IDSTP80NE06-10 60 V

 6.1. Size:58K  st
stp80ne03l.pdfpdf_icon

STP80NE06-10

STP80NE03L-06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(o n) IDSTP80NE03L-06 30 V

 6.2. Size:185K  st
stp80ne03l-06.pdfpdf_icon

STP80NE06-10

STP80NE03L-06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP80NE03L-06 30 V

 8.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STP80NE06-10

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.