STP80NE06-10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP80NE06-10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP80NE06-10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP80NE06-10 даташит

 ..1. Size:235K  st
stp80ne06-10.pdfpdf_icon

STP80NE06-10

STP80NE06-10 N-CHANNEL 60V - 0.0085 - 80A TO-220 "SINGLE FEATURE SIZE " MOSFET Table 1. General Features Figure 1. Package Type VDSS RDS(on) ID STP80NE06-10 60 V

 6.1. Size:58K  st
stp80ne03l.pdfpdf_icon

STP80NE06-10

STP80NE03L-06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(o n) ID STP80NE03L-06 30 V

 6.2. Size:185K  st
stp80ne03l-06.pdfpdf_icon

STP80NE06-10

STP80NE03L-06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE " SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP80NE03L-06 30 V

 8.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STP80NE06-10

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

Другие IGBT... STP7N80K5, STP7NB60, STP7NK40ZFP, STP7NM50N, STP80N10F7, STP80N6F6, STP80N70F6, STP80NE03L-06, IRF830, STP80NF03L, STP80NF03L-04, STP80NF55-06FP, STP8N80K5, STP8NK85Z, STP8NM50FP, STP8NM60D, STP8NM60FP