STP8NM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP8NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP8NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8NM60N даташит

 ..1. Size:698K  st
 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM60N

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

 ..2. Size:698K  st
 stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM60N

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

 ..3. Size:700K  st
 stp8nm60n stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM60N

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

 0.1. Size:726K  st
 std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf pdf_icon

STP8NM60N

STD8NM60ND, STF8NM60ND STP8NM60ND, STU8NM60ND N-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STD8NM60ND 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP80NF03L, STP80NF03L-04, STP80NF55-06FP, STP8N80K5, STP8NK85Z, STP8NM50FP, STP8NM60D, STP8NM60FP, AOD4184A, STP8NS25FP, STP90N6F6, STP9235, STP9435, STP9437, STP9527, STP9547, STP95N04