STP9437. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP9437

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для STP9437

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP9437 даташит

 ..1. Size:366K  stansontech
 stp9437.pdf pdf_icon

STP9437

STP9437 STP9437 STP9437 STP9437 P Channel Enhancement Mode MOSFET - 5.7A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION STP9437 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suite

 8.1. Size:396K  stansontech
 stp9435.pdf pdf_icon

STP9437

STP9435 P Channel Enhancement Mode MOSFET - 5.0A DESCRIPTION STP9435 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as battery pack, note

Другие IGBT... STP8NM50FP, STP8NM60D, STP8NM60FP, STP8NM60N, STP8NS25FP, STP90N6F6, STP9235, STP9435, IRF730, STP9527, STP9547, STP95N04, STP9N60M2, STP9N65M2, STP9NK50ZFP, STP9NK60ZD, STP9NK60ZFP