STP9NK80Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP9NK80Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP9NK80Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP9NK80Z даташит

 ..1. Size:353K  st
stf9nk80z stp9nk80z.pdfpdf_icon

STP9NK80Z

STP9NK80Z STF9NK80Z N-CHANNEL 800V -0.9 - 7.5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP9NK80Z 800 V

 ..2. Size:408K  st
stp9nk80z stf9nk80z.pdfpdf_icon

STP9NK80Z

STP9NK80Z STF9NK80Z N-CHANNEL 800V -0.9 - 7.5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP9NK80Z 800 V

 8.1. Size:345K  st
stp9nk65z stp9nk65zfp.pdfpdf_icon

STP9NK80Z

 8.2. Size:991K  st
stb9nk90z stf9nk90z stp9nk90z stw9nk90z.pdfpdf_icon

STP9NK80Z

STB9NK90Z, STF9NK90Z STP9NK90Z, STW9NK90Z N-channel 900 V, 1.1 , 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max. 3 3 1 STB9NK90Z 160 W 2 1 D PAK TO-220 STW9NK90Z 160 W 900V

Другие IGBT... STP9527, STP9547, STP95N04, STP9N60M2, STP9N65M2, STP9NK50ZFP, STP9NK60ZD, STP9NK60ZFP, IRFP460, STP9NM50N, STQ1HN60K3-AP, STQ1NK60ZR-AP, STQ1NK80ZR-AP, STQ2LN60K3-AP, STQ3NK50ZR-AP, STR1P2UH7, STR2N2VH5