Справочник MOSFET. STP9NM50N

 

STP9NM50N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP9NM50N
   Маркировка: P9NM50N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP9NM50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:456K  st
stf9nm50n stp9nm50n.pdfpdf_icon

STP9NM50N

STD9NM50N - STD9NM50N-1STF9NM50N - STP9NM50NN-channel 500V - 0.47 - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAKSecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)323STD9NM50N 550V

 ..2. Size:485K  st
std9nm50n std9nm50n-1 stp9nm50n stf9nm50n.pdfpdf_icon

STP9NM50N

STD9NM50N - STD9NM50N-1STF9NM50N - STP9NM50NN-channel 500V - 0.47 - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAKSecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)323STD9NM50N 550V

 8.1. Size:896K  st
std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdfpdf_icon

STP9NM50N

STD9NM60NSTF9NM60N, STP9NM60NN-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.33221STD9NM60N1TO-220FP TO-220STF9NM60N 650 V

 9.1. Size:343K  st
stp9nc65.pdfpdf_icon

STP9NM50N

STP9NC65STP9NC65FPN-CHANNEL 650V - 0.75 - 8A TO-220/TO-220FPPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP9NC65 650 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.