STP9NM50N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP9NM50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP9NM50N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP9NM50N даташит

 ..1. Size:456K  st
stf9nm50n stp9nm50n.pdfpdf_icon

STP9NM50N

STD9NM50N - STD9NM50N-1 STF9NM50N - STP9NM50N N-channel 500V - 0.47 - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 2 3 STD9NM50N 550V

 ..2. Size:485K  st
std9nm50n std9nm50n-1 stp9nm50n stf9nm50n.pdfpdf_icon

STP9NM50N

STD9NM50N - STD9NM50N-1 STF9NM50N - STP9NM50N N-channel 500V - 0.47 - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 2 3 STD9NM50N 550V

 8.1. Size:896K  st
std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdfpdf_icon

STP9NM50N

STD9NM60N STF9NM60N, STP9NM60N N-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. 3 3 2 2 1 STD9NM60N 1 TO-220FP TO-220 STF9NM60N 650 V

 9.1. Size:343K  st
stp9nc65.pdfpdf_icon

STP9NM50N

Другие IGBT... STP9547, STP95N04, STP9N60M2, STP9N65M2, STP9NK50ZFP, STP9NK60ZD, STP9NK60ZFP, STP9NK80Z, IRFZ44, STQ1HN60K3-AP, STQ1NK60ZR-AP, STQ1NK80ZR-AP, STQ2LN60K3-AP, STQ3NK50ZR-AP, STR1P2UH7, STR2N2VH5, STR2P3LLH6