IXFK150N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFK150N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 360 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXFK150N10
IXFK150N10 Datasheet (PDF)
ixfh150n15p ixfk150n15p.pdf
IXFH 150N15PPolarHTTM HiPerFETVDSS = 150 VIXFK 150N15PPower MOSFETID25 = 150 A RDS(on) 13 m N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diodetrr 200 nsAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 VVGS Contin
ixfk150n15 ixfx150n15.pdf
HiPerFETTM IXFK 150N15 VDSS = 150 VIXFX 150N15 ID25 = 150 APower MOSFETsRDS(on) = 12.5 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 150 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 150 VD (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET chip capability) 150
ixfk150n30p3 ixfx150n30p3.pdf
Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFK150N30P3Power MOSFETs ID25 = 150AIXFX150N30P3 RDS(on) 19m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 300 V TabVDGR TJ = 25C to 150
Другие MOSFET... IXFJ13N50 , IXFJ32N50Q , IXFJ40N30 , IXFK100N10 , IXFK100N25 , IXFK110N07 , IXFK110N20 , IXFK120N20 , IRLB4132 , IXFK150N15 , IXFK170N10 , IXFK180N07 , IXFK180N085 , IXFK180N10 , IXFK20N80Q , IXFK26N60Q , IXFK26N90 .
