STS17NF3LL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STS17NF3LL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 614 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STS17NF3LL Datasheet (PDF)
sts17nf3ll.pdf
STS17NF3LLN-channel 30V - 0.0045 - 17A - SO-8STripFET II Power MOSFET for DC-DC conversionGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS17NF3LL 30V
sts17nh3ll.pdf
STS17NH3LLN-channel 30 V - 0.004 - 17 A - SO-8STripFET Power MOSFET for DC-DC conversionFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS17NH3LL 30V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: STQ2HNK60Z-AP | STS13N3LLH5 | STRH12P10 | STT02N20 | HY1707PM | STS65R190L8AS2TR | STS65R190FS2
History: STQ2HNK60Z-AP | STS13N3LLH5 | STRH12P10 | STT02N20 | HY1707PM | STS65R190L8AS2TR | STS65R190FS2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200