Справочник MOSFET. STSJ100NHS3LL

 

STSJ100NHS3LL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STSJ100NHS3LL
   Маркировка: 100HS3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для STSJ100NHS3LL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STSJ100NHS3LL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  st
 stsj100nhs3ll.pdf pdf_icon

STSJ100NHS3LL

STSJ100NHS3LLN-channel 30V - 0.0032 - 20A - PowerSO-8STripFETIII Power MOSFET plus monolithic schottkyGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTSJ100NHS3LL 30V 0.0042 20A(1)1. This value is rated accordingly to Rthj-pcb Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5V Reduced switching losses Reduced conduction lossesPowerSO-8 Improved junction-case thermal resist

 5.1. Size:457K  st
 stsj100nh3ll.pdf pdf_icon

STSJ100NHS3LL

STSJ100NH3LLN-CHANNEL 30 V - 0.0032 - 25 A PowerSO-8STripFET III MOSFET FOR DC-DC CONVERSIONTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID STSJ100NH3LL 30V

Другие MOSFET... STS5PF20V , STS6P3LLH6 , STS6PF30L , STS7P4LLF6 , STS8C6H3LL , STS9NH3LL , STS9P2UH7 , STSJ100NH3LL , AON7506 , STSJ25NF3LL , STSJ50NH3LL , STSJ60NH3LL , STT2PF60L , STT3P2UH7 , STT3PF30L , STT4P3LLH6 , STT4PF20V .

 

 
Back to Top

 


 
.