STSJ50NH3LL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STSJ50NH3LL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для STSJ50NH3LL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STSJ50NH3LL даташит

 ..1. Size:324K  st
 stsj50nh3ll.pdf pdf_icon

STSJ50NH3LL

STSJ50NH3LL N-channel 30 V - 0.008 - 12 A - PowerSO-8 ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (max) STSJ50NH3LL 30V

Другие IGBT... STS6PF30L, STS7P4LLF6, STS8C6H3LL, STS9NH3LL, STS9P2UH7, STSJ100NH3LL, STSJ100NHS3LL, STSJ25NF3LL, IRF530, STSJ60NH3LL, STT2PF60L, STT3P2UH7, STT3PF30L, STT4P3LLH6, STT4PF20V, STT5N2VH5, STT5PF20V