STSJ50NH3LL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STSJ50NH3LL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для STSJ50NH3LL
STSJ50NH3LL Datasheet (PDF)
..1. Size:324K st
stsj50nh3ll.pdf
stsj50nh3ll.pdf
STSJ50NH3LLN-channel 30 V - 0.008 - 12 A - PowerSO-8ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STSJ50NH3LL 30V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918