STSJ50NH3LL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STSJ50NH3LL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для STSJ50NH3LL
STSJ50NH3LL Datasheet (PDF)
stsj50nh3ll.pdf
STSJ50NH3LLN-channel 30 V - 0.008 - 12 A - PowerSO-8ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STSJ50NH3LL 30V
Другие MOSFET... STS6PF30L , STS7P4LLF6 , STS8C6H3LL , STS9NH3LL , STS9P2UH7 , STSJ100NH3LL , STSJ100NHS3LL , STSJ25NF3LL , IRF530 , STSJ60NH3LL , STT2PF60L , STT3P2UH7 , STT3PF30L , STT4P3LLH6 , STT4PF20V , STT5N2VH5 , STT5PF20V .
History: PV555BA | BLP03N08-BA | PR812BA33
History: PV555BA | BLP03N08-BA | PR812BA33
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924


