STSJ60NH3LL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STSJ60NH3LL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 565 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для STSJ60NH3LL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STSJ60NH3LL даташит

 ..1. Size:349K  st
 stsj60nh3ll.pdf pdf_icon

STSJ60NH3LL

STSJ60NH3LL N-channel 30V - 0.004 - 15A - PowerSO-8 STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion Features Type VDSS RDS(on) ID STSJ60NH3LL 30V

Другие IGBT... STS7P4LLF6, STS8C6H3LL, STS9NH3LL, STS9P2UH7, STSJ100NH3LL, STSJ100NHS3LL, STSJ25NF3LL, STSJ50NH3LL, CS150N03A8, STT2PF60L, STT3P2UH7, STT3PF30L, STT4P3LLH6, STT4PF20V, STT5N2VH5, STT5PF20V, STT6N3LLH6