STSJ60NH3LL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STSJ60NH3LL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 565 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для STSJ60NH3LL
STSJ60NH3LL Datasheet (PDF)
..1. Size:349K st
stsj60nh3ll.pdf
stsj60nh3ll.pdf
STSJ60NH3LLN-channel 30V - 0.004 - 15A - PowerSO-8STripFET Power MOSFET for DC-DC conversionFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTSJ60NH3LL 30V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: STU27N3LH5 | SI5456DU
History: STU27N3LH5 | SI5456DU
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918