STSJ60NH3LL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STSJ60NH3LL
Маркировка: 60H3LL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
Время нарастания (tr): 65 ns
Выходная емкость (Cd): 565 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0057 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для STSJ60NH3LL
STSJ60NH3LL Datasheet (PDF)
..1. Size:349K st
stsj60nh3ll.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
stsj60nh3ll.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STSJ60NH3LLN-channel 30V - 0.004 - 15A - PowerSO-8STripFET Power MOSFET for DC-DC conversionFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTSJ60NH3LL 30V
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .