STU4N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STU4N80K5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: IPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STU4N80K5 Datasheet (PDF)
std4n80k5 stf4n80k5 stp4n80k5 stu4n80k5.pdf

STD4N80K5, STF4N80K5, STP4N80K5, STU4N80K5N-channel 800 V, 2.1 typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeatures TABOrder code VDS RDS(on) max. ID PTOT31STD4N80K5 60 W3DPAK2STF4N80K5 20 W1800 V 2.5 3 ATO-220FPTAB STP4N80K560 WTAB STU4N80K5 Industrys lowest RDS(on) x area3
stf4n62k3 stfi4n62k3 sti4n62k3 stp4n62k3 stu4n62k3.pdf

STF4N62K3, STFI4N62K3, STI4N62K3, STP4N62K3, STU4N62K3N-channel 620 V, 1.7 typ., 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABOrder codes VDSS RDS(on) max ID PTOT3STF4N62K3 25 W 32211STFI4N62K3 25 WTO-220FPIPAKSTI4N62K3 620 V
std4n52k3 stp4n52k3 stu4n52k3.pdf

STD4N52K3, STP4N52K3, STU4N52K3DatasheetN-channel 525 V, 2.1 typ., 2.5 A MDmesh K3 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packagesFeaturesTAB TAB3VDS RDS(on)max. IDOrder code Package1DPAKSTD4N52K3 2.5 A DPAK32TO-220TAB 1STP4N52K3 525 V 2.6 2.5 A TO-220STU4N52K3 2.5 A IPAK32IPAK 1 100% avalanche tested Extremely high dv/dt capabilityD(
stf4n62k3 sti4n62k3 stp4n62k3 stu4n62k3.pdf

STF4N62K3, STI4N62K3STP4N62K3, STU4N62K3N-channel 620 V, 1.7 , 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFETTO-220FP, IPAK, TO-220, IPAKFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max ID Pw32STF4N62K3 25 W132STI4N62K3 70 W 1620 V
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: RTQ020N05HZG | IPB60R160P6 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | AM8N20-600D | IPP65R420CFD | 50N06G-TQ2-T
History: RTQ020N05HZG | IPB60R160P6 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | AM8N20-600D | IPP65R420CFD | 50N06G-TQ2-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor