Справочник MOSFET. STU6N65K3

 

STU6N65K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU6N65K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для STU6N65K3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU6N65K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  st
stf6n65k3 stfi6n65k3 stu6n65k3.pdfpdf_icon

STU6N65K3

STF6N65K3, STFI6N65K3, STU6N65K3N-channel 650 V, 1.1 typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAKDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max. ID PtotSTF6N65K3TAB30 WSTFI6N65K3 650 V

 ..2. Size:901K  st
stfi6n65k3 stu6n65k3.pdfpdf_icon

STU6N65K3

STF6N65K3, STFI6N65K3, STU6N65K3N-channel 650 V, 1.1 typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAKDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max. ID PtotSTF6N65K3TAB30 WSTFI6N65K3 650 V

 7.1. Size:732K  st
stf6n65m2 stp6n65m2 stu6n65m2.pdfpdf_icon

STU6N65K3

STF6N65M2, STP6N65M2, STU6N65M2N-channel 650 V, 1.2 typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max IDSTF6N65M23 3STP6N65M2 650 V 1.35 4 A2211STU6N65M2TO-220FP TO-220TAB Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile32 1

 8.1. Size:1046K  st
stf6n60m2 stp6n60m2 stu6n60m2.pdfpdf_icon

STU6N65K3

STF6N60M2, STP6N60M2, STU6N60M2N-channel 600 V, 1.06 typ., 4.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 32 Order codes ID1TJmax maxIPAK3STF6N60M221STP6N60M2 650 V 1.2 4.5 ATO-220FP TABSTU6N60M2 Extremely low gate charge3 Lower RDS(on) x area vs previous

Другие MOSFET... STU2N105K5 , STU2N80K5 , STU2N95K5 , STU3N80K5 , STU4N80K5 , STU5N60M2 , STU60N3LH5-S , STU6N60M2 , MMIS60R580P , STU6N65M2 , STU6N95K5 , STU7N105K5 , STU7N60M2 , STU7N65M2 , STU7N80K5 , STU7NF25 , STU80N4F6 .

History: R6024ENX | SIHB8N50D | BUZ104L | SIA425EDJ | RUH1H138M-C | RJK0215DPA | FDMC86320

 

 
Back to Top

 


 
.